导读：micro led，即微发光二极管显示器，机构是微型化led阵列，也就是将led结构设计进行播磨花、微小化与阵列化，体积约为目前主流led大小的1%，每一个画素都能定址、单独发光，将画素的点距降数量级低到微米。

micro led被视为继lcd和oled之后最为可能颠覆显示行业的新一代技术，似乎要取代市场对oled的看法。

长江后浪推前浪，micro led势头太猛冲击oled市场-凯发网站

micro led，即微发光二极管显示器，机构是微型化led阵列，也就是将led结构设计进行播磨花、微小化与阵列化，体积约为目前主流led大小的1%，每一个画素都能定址、单独发光，将画素的点距降数量级低到微米。

micro led

micro led来源于led，却与oled相同，也具有自发光优势，但却性能却比oled更加优化，功耗低、亮度高、具有超高的解析度与色彩饱和度、响应速度更快，使用寿命更长、效率较高等等。其中功耗约为lcd的10%，oled的50%，尤其是micro led的亮度比oled高30倍，解析度更是可以达到1500ppi像素密度。

micro led冲击下oled或将无法普及

目前苹果和sony都在积极布局microled生产线，并在一众开发micro led的厂商中处于领先地位。不同的是，作为最早做micro led的商家sony主要致力于大屏micro led的生产，而苹果发展方向则是小尺寸的micro led。与此同时，三星、lg、夏普等国际大厂以及中国台湾的一些厂商，如：友达光电、群创科技、晶电等也开始投资micro led。

micro led的应用

因为micro led的像素大、亮度高和功耗低等优点，所以它主要目前的应用方向就是智能可穿戴设备、vr和ar设备、商用拼接显示屏和公共显示屏等领域。随着技术的成熟和门槛的降低，未来应该还会有更好地发展，并且苹果公司尤其钟爱micro led，甚至有分析师认为苹果只把oled视为过渡，而micro led才是其真爱。

micro led的应用

此前，oled一直被各大显示业巨头纷纷看好，在经过多年的发展之后，终于拨开云雾见月明，在今年得到快速发展，有望取代lcd在市场的地位。却没想到，半路杀出了micro led这匹黑马。oled目前还在发展中，而micro led的出现必然会冲击到oled的普及，若micro led的发展能够追赶上oled，那最终谁才是能颠覆显示产业的技术，仍待考究。

led技术已经发展了近三十年，最初只是作为一种新型固态照明光源，之后虽应用于显示领域，却依然只是幕后英雄——背光模组。如今，led逐渐从幕后走向台前，迎来最蓬勃发展的时期。如今它已多次出现在各种重要场合，在显示领域扮演着越来越重要的角色。

led之所以能够成为当前的关注焦点，主要归功于它许多得天独厚的优点。它不仅能够自发光，尺寸小，重量轻，亮度高，更有着寿命更长，功耗更低，响应时间更快，及可控性更强的优点。这使得led有着更广阔的应用范围，并由此诞生出更高科技的产品。

如今，led大尺寸显示屏已经投入应用于一些广告或者装饰墙等。然而其像素尺寸都很大，这直接影响了显示图像的细腻程度，当观看距离稍近时其显示效果差强人意。此时，micro-leddisplay应运而生，它不仅有着led的所有优势，还有着明显的高分辨率及便携性等特点。

当前micro-leddisplay的发展主要有两种趋势。一个是索尼公司的主攻方向——小间距大尺寸高分辨率的室内/外显示屏。另一种则是苹果公司正在推出的可穿戴设备（如applewatch），该类设备的显示部分要求分辨率高、便携性强、功耗低亮度高，而这些正是micro-led的优势所在。

micro-leddisplay已经发展了十数年，期间世界上多个项目组发布成果并促进着相关技术进一步发展。例如，2001年日本satoshitakano团队公布了他们的研究的一组micro-led阵列。

该阵列采用无源驱动方式，且使用打线连接像素与驱动电路，并将红绿蓝三个led芯片放置在同一个硅反射器上，通过rgb的方式实现彩色化。该阵列虽初见成效，但也有着不容忽视的缺点，其分辨率与可靠性都还很低，不同led的正向导通电压差别比较大。

同年，h.x.jiang团队也同样做出了一个无源矩驱动的10×10micro-ledarray。这个阵列创新性的使用四个公共n电极和100个独立p电极。并采用复杂的版图设计以尽量最优化连线布局。虽然显示效果有一定的进步，但没有解决集成能力低的问题。

另一个比较突出的成果是在2006年由香港科技大学团队公布的。同样采用无源驱动，使用倒装焊技术集成micro-led阵列[3]。但是同一行像素的正向导通电压也差别比较大，而且当该列亮起的像素数目不同时，像素的亮度也会受到影响，亮度的均匀性还不够好。

2008年，z.y.fan团队公布另一个无源驱动的120×120的微阵列，其芯片尺寸为3.2mm×3.2mm，像素尺寸为20×12μm，像素间隔为22μm。尺寸方面已经明显得到优化，但是，依然需要大量的打线，版图布局仍然十分复杂。

而同年z.gong团队公布的微阵列，依然采用无源矩阵驱动，并使用倒装焊技术集成。该团队做出了蓝光（470nm）micro-led阵列和uvmicro-led（370nm）阵列，并成功通过uvled阵列激发了绿光和红光量子点证明了量子点彩色化方式的可行性。

此外，在该年，b.r.rae团队成功集成了si-cmos电路，该电路可为uvled提供合适的电脉冲信号，并集成了spas（singlephotoavalanchediode）探测器，主要应用于在便携式荧光寿命读写器。然而其驱动能力比较弱，且工作电压很高。

2009年，香港科技大学z.j.liu所在团队利用uvmicro-led阵列激发红绿蓝三色荧光粉，得到了全彩色的微led显示芯片。2010年该团队分别利用红绿蓝三种led外延片制备出360ppi的微led显示芯片[8]，并把三个芯片集成在一起实现了世界上首个去背光源化的全彩色微led投影机。

之后，z.j.liu所在的香港科技大学团队与中山大学团队合力将微led显示的分辨率提高到1700ppi，像素点距缩小到12微米，采用无源选址方式 倒装焊封装技术[10]。与此同时他们还成功制备出分辨率为846ppi的wqvga有源选址微led显示芯片，并在该芯片中集成了光通讯功能。